葛原 正明 | NEC 光・無線デバイス研究所
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概要
関連著者
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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大田 一樹
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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羽山 信幸
Nec
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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Contrata W
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
著作論文
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
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