笠原 健資 | NEC光・無線デバイス研究所
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概要
関連著者
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Nec光・超高周波デバイス研究所
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国弘 和明
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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Nec光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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国弘 和明
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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高橋 裕之
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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大野 泰夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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葛原 正明
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
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葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
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松永 高治
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NEC 光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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笹岡 千秋
Nec光・無線デバイス研究所
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日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
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国弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
Nec
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笠原 健資
NEC
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NEC
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NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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国弘 和明
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
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NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
関西エレクトロニクス研究所
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関西エレクトロニクス研究所
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関西エレクトロニクス研究所
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Nec光エレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
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大久保 哲
NEC光エレクトロニクス研究所
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笠原 健資
NEC光エレクトロニクス研究所
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徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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岡本 康宏
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NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
著作論文
- 酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC