宮本 広信 | NECナノエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 宮本 広信

  NEC

• 岡本 康宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 遠藤 一臣

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 遠藤 一臣

  NEC

• 嶋脇 秀徳

  Nec

• 大田 一樹

  Nec

• 嶋脇 秀徳

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大田 一樹

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 葛原 正明

  Nec

• 國弘 和明

  東工大理

• 国弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 国弘 和明

  Nec

• 笠原 健資

  NEC

• 中山 達峰

  NEC

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 国弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 國弘 和明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
• 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET

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