國弘 和明 | 日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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概要
関連著者
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國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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國弘 和明
東工大理
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國弘 和明
日本電気(株)
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國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
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国弘 和明
日本電気(株)
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国弘 和明
東工大理
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国弘 和明
Nec
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國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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大野 泰夫
徳島大学
著作論文
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- WCDMA用電力増幅器の低歪・高効率化回路技術 : 動的プリディストーションとポーラ変調技術(移動通信ワークショップ)
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- C-2-22 WCDMA携帯端末用エンベロープトラッキング方式電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)