國弘 和明 | 東工大理

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東工大理の論文著者

関連著者

• 國弘 和明

  東工大理

• 国弘 和明

  Nec

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 高橋 裕之

  Nec

• 國弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 国弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 高橋 裕之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  日本電気(株)

• 國弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 國弘 和明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 永井 泰樹

  東工大理

• 鳥山 保

  東工大理

• 吉田 敦

  東工大理

• 山之内 慎吾

  日本電気(株)

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 永井 泰樹

  阪大RCNP

• 鳥山 保

  武蔵工大

• 国弘 和明

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 高橋 裕之

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 能米 雅信

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 吉田 敦

  理研

• 青木 雄一

  日本電気(株)

• 篠塚 勉

  東北大サイクロ

• 田中 仁市

  東大核研

• 尾又 一実

  東工大理

• 羽山 信幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 國弘 和明

  NECシステムデバイス研究所

• 山之内 慎吾

  NECシステムデバイス研究所

• 平山 知央

  NECエレクトロニクス(株)

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

• 松永 高治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 高橋 清彦

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 樋田 光

  Necエレクトロニクス

• 国弘 和明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 國弘 和明

  日本電気株式会社

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 田中 愼一

  Necシステムデバイス研究所

• 野村 享

  高エ研

• 松永 高治

  NECシステムデバイス研究所

• 竹田 賢志

  東工大理

• 浅井 淳

  東工大理

• 原田 重信

  東工大理

• 鳥居 良成

  東工大理

• 野村 享

  核研

• 田中 仁市

  核研

• 鳥居 良成

  東京工大・理

• 葛原 正明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 笹岡 千秋

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部

• 大久保 哲

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 高橋 清彦

  NECシステムデバイス研究所

• 青木 雄一

  NECシステムデバイス研究所

• 笹岡 千秋

  Nec光・無線デバイス研究所

• 平山 知央

  NECシステムデバイス研究所

• 国広 和明

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 能米 雅信

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 国弘 和明

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 元井 桂一

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 国弘 和明

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 中山 達峰

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 元井 桂一

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 森田 浩介

  理研仁科セ

• 大島 直樹

  NEC

• 酒井 英行

  東大理

• 吉村 克巳

  東工大理

• 野村 亨

  KEK

• 野村 亨

  高工研

• 野村 亨

  東大核研

• 森田 浩介

  理研

• 岡本 弘之

  東大理

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 岡村 弘之

  埼玉大理

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松永 高治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  Nec

• 小泉 光生

  日本原子力研究開発機構

• 小泉 光生

  理研

• 小泉 光生

  広大・理

• 本山 修一郎

  東工大理

• 児玉 浩志

  日本電気株式会社

• 野村 享

  東大核研

• 工藤 久昭

  新潟大理

• 吉村 克己

  東工大理

• 藤岡 学

  東北大理

• 篠塚 勉

  東北大理

• 岡村 弘之

  理研

• 和田 道治

  東北大サイクロン

• 笠原 健資

  NEC

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 中山 達峰

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 羽山 信幸

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 国弘 和明

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 岡本 康宏

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  NEC光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  関西エレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  日本電気株式会社

• 大野 泰夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 大野 泰夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 宮崎 孝

  日本電気(株)

• 岡本 康宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 稲村 卓

  理研サイクロ

• 高橋 裕之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 国弘 和明

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 國弘 和明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 樋田 光

  NECシステムデバイス研究所

• 堀 真一

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 狐塚 正樹

  日本電気株式会社システムIPコア研究所

• 大島 直樹

  日本電気株式会社システムIPコア研究所

• 深石 宗生

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 児玉 浩志

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 堀 真一

  日本電気株式会社

• 初川 雄一

  東大核研

• 森田 浩介

  理研サイクロ

• 篠塚 勉

  東北大サイクロRIセンター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
• WCDMA用電力増幅器の低歪・高効率化回路技術 : 動的プリディストーションとポーラ変調技術(移動通信ワークショップ)
• 30p-PS-19 理研気体充填型質量分析器(GARIS)の性能に関するモンテカルロ・シミュレーション
• 30p-PS-6 Heジェット系の製作
• 30a-W-5 ^Ca遅発陽子放出の測定
• 30a-W-2 (a^^→,^2He)反応を用いた"Be励起状態
• 5a-C-10 ^Cの超許容フェルミベータ崩壊
• 5a-C-8 ^Bi γ線相対強度の精密測定
• AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
• AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
• 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
• SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
• Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
• SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
• C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
• [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• C-2-22 WCDMA携帯端末用エンベロープトラッキング方式電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
• HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
• CS-3-2 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
• n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
• [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
• [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
• AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
• 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
• GaAsパワーFETにおけるドレイン耐圧変動機構の解明
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
• 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
• HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
• GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
• HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション
• p層バッファによるドレインラグ現象のシールド効果
• ホールトラップ型基板におけるHJFETドレインラグ現象の解析
• HJFETにおけるドレインラグ現象の大信号等価回路モデル
• C-2-17 WCDMA向けポーラ変調型電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
• C-2-22 100W級S帯向けF級GaN FET電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-12-69 ダイナミックレンジスケーラブル電力検出器を備えたコグニティブ無線用広帯域受信IC(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-25 寄生補償高調波共振回路を適用したS帯逆F級GaN電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 28p-SA-2 理研ISOLのオンライン試験(28p SA 原子核実験(測定器),原子核実験)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク