周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAsデバイスではDCのI-V特性と高周波の特性が一致せず、回路設計を複雑にしている。これは、小信号で測定される周波数分散として良く知られている。今回、MESFET構造で印加信号の振幅を大きくすると、電流値が減少することを周期バイアス用デバイスシミュレータを用いて確認した。この現象は電子濃度の大幅に変化する大信号動作時に、基板中の深い準位の電子の捕獲速度が放出を上回り、過剰に負帯電することで説明でき、デジタル回路におけるマーク率効果と同じ原因である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
高橋 裕之
Nec
-
高橋 裕之
Nec光・無線デバイス研究所
-
國弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
国弘 和明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
関連論文
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- WCDMA用電力増幅器の低歪・高効率化回路技術 : 動的プリディストーションとポーラ変調技術(移動通信ワークショップ)
- 30p-PS-19 理研気体充填型質量分析器(GARIS)の性能に関するモンテカルロ・シミュレーション
- 30p-PS-6 Heジェット系の製作
- 30a-W-5 ^Ca遅発陽子放出の測定
- 30a-W-2 (a^^→,^2He)反応を用いた"Be励起状態
- 5a-C-10 ^Cの超許容フェルミベータ崩壊
- 5a-C-8 ^Bi γ線相対強度の精密測定
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SC-5-6 準ミリ波帯0.3μmマルチゲートフィンガーAlGaN/GaN HJFET
- C-10-20 AlGaN/GaN HJFETのマイクロ波電力特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- C-2-22 WCDMA携帯端末用エンベロープトラッキング方式電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
- C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- 41609 建築構造物を用いたマイクロ波無線ユビキタス電源の実現 : (その7) 実大空間を用いたシステム特性の評価(設備応用,環境工学II)
- 移動体通信,通信 モバイルRFチップセットの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
- CS-3-2 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- 高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上
- AlGaN/GaN HJFETの作製と評価
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- GaAsパワーFETにおけるドレイン耐圧変動機構の解明
- e-ソサイエティ(http://www.e-eleso.org)とエレクトロニクスベンチャービジネス研究会へのお誘い
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析
- 埋め込みp層による高出力GaAs MESFETの2端子耐圧の向上
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- 周期バイアス用デバイスシミュレータによるGaAs HJFETマーク率効果の解析
- HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
- GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
- HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション
- p層バッファによるドレインラグ現象のシールド効果
- ホールトラップ型基板におけるHJFETドレインラグ現象の解析
- HJFETにおけるドレインラグ現象の大信号等価回路モデル
- 周期バイアス動作解析用デバイスシミュレータ
- C-2-17 WCDMA向けポーラ変調型電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- C-2-22 100W級S帯向けF級GaN FET電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-12-69 ダイナミックレンジスケーラブル電力検出器を備えたコグニティブ無線用広帯域受信IC(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-25 寄生補償高調波共振回路を適用したS帯逆F級GaN電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 28p-SA-2 理研ISOLのオンライン試験(28p SA 原子核実験(測定器),原子核実験)