HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション

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概要

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HJFETのドレインラグの抑制を目的として、バッファ層内にP層を埋め込んだ構造を想定して、ドレインラグの解析を行った。まずp層かソースドレインに対し対称に埋め込まれている場合、p層濃度を上げていくと次第にトラップのシールド効果が現れる。しかしそれに伴いドレインとp層間との寄生容量も増えていくので、シールド効果と寄生容量増加のトレードオフが存在する。また、p層中のホールの移動による新たな電流変動が発生することが判った。次にp層がドレイン下に無くゲートの直下のみに非対称に埋め込まれている場合、濃度を上げても容量は増えず、またシールド効果が保持されることを示した。その場合ホールの移動による電流変動については、濃度を上げる程その時定数が小さくなることが判った。結局、p層を非対称化すると同時に高濃度程シールド性, 高周波特性共に良いことになる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-09-27

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