C-2-22 100W級S帯向けF級GaN FET電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
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概要
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- 2012-03-06
著者
-
國弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
Nec
-
國弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
山之内 慎吾
日本電気(株)
-
松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
国弘 和明
日本電気(株)
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
堀 真一
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
元井 桂一
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社
-
元井 桂一
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
堀 真一
日本電気株式会社
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