AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
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概要
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高周波パワーデバイスとしてサファイア基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性について述べる。まず、AlGaN/GaNヘテロ接合FETの作製プロセス技術を紹介する。特に、放熱特性を改善するために導入したサファイア基板の薄層化技術について述べる。サファイア基板を50μmまで薄層化したFETの基本特性に機械的損傷による悪い影響は認められず、基板薄層化が放熱特性に極めて有効であることを示す。試作したゲート長0.9μm、ゲート幅16mmの高出力FETにおいて、出力電力13.9W、電力付加効率28.4%のパワー特性を周波数1.95GHz、ドレイン電圧32Vにおいて確認した。さらに、将来的に予想される究極の高周波パワー特性をフルバンドモンテカルロシミュレーションを用いて解析した結果を報告する。最後に、ミリ波高出力デバイスの期待について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-30
著者
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
國弘 和明
東工大理
-
国弘 和明
東工大理
-
大野 泰夫
徳島大学
-
国弘 和明
Nec
-
葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
国弘 和明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
羽山 信幸
Nec
-
國弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
国弘 和明
日本電気(株)
-
國弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
国弘 和明
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
國弘 和明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
松永 高治
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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