C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-07
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
NEC光無線デバイス研究所
-
松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
-
Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
-
大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
-
石倉 幸治
化合物デバイス事業部
-
竹中 功
化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC光無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
大田 一樹
Nec
-
大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
-
Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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