石倉 幸治 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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Nec山形個別半導体部
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葛原 正明
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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Nec光・超高周波デバイス研究所
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水田 正志
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
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梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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Nec
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三好 陽介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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NEC化合物デバイス事業部
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葛原 正明
日本電気
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長谷川 浩一
NEC 化合物デバイス事業部
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江森 文章
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
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日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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森川 純子
NEC ULSIデバイス開発研究所
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
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葛原 正明
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水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
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佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
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上田 隆
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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栗原 俊道
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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高橋 英匡
NEC ULSIデバイス開発研究所
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岩田 直高
Necエレクトロニクス
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岩田 直高
NEC 化合物デバイス事業部
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NEC ULSIデバイス開発本部
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NEC光無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
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石倉 幸治
化合物デバイス事業部
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竹中 功
化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
化合物デバイス事業部
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NEC光無線デバイス研究所
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葛原 正明
関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気
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高橋 英匡
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麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
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水田 正忠
光・超高周波デバイス研究所
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石倉 幸浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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岸 一弘
NEC 山形 個別半導体部
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NEC 山形 個別半導体部
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長谷川 浩一
NEC化合物デバイス事業部
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今川 和之
NEC化合物デバイス事業部
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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松永 高冶
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NEC 光・無線デバイス研究所
著作論文
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- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
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- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
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- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- 携帯電話基地局用100W高出力FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)