携帯電話基地局用100W高出力FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用100W高出力FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)