C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
石倉 幸冶
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
松永 高冶
NEC関西エレクトロニクス研究所
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