岩田 直高 | NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
-
加藤 輝久
内藤電誠町田製作所
-
西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
岩田 直高
Necエレクトロニクス
-
岩田 直高
NEC 化合物デバイス事業部
-
長谷川 浩一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
尾藤 康則
NEC 化合物デバイス事業部
-
加藤 武彦
NEC 化合物デバイス事業部
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
-
田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
-
三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
-
播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
-
東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
-
西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開研
-
佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
上田 隆
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
栗原 俊道
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
-
東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
-
小笠原 靖
Nec山形個別半導体部
-
岸 一弘
Nec山形個別半導体部
-
尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
富田 正俊
NEC化合部デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
-
川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
川中 雅史
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐藤 博幸
NEC化合物デバイス事業部
-
高橋 秀樹
NEC光・無線デバイス研究所
-
吉田 貞義
NEC化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
松永 高治
日本電気
-
高橋 英匡
NEC化合物デバイス事業部
-
長谷川 浩一
NEC 化合物デバイス事業部
-
江森 文章
NEC 化合物デバイス事業部
-
Gary Hau
NEC化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
江森 文章
NEC化合物デバイス事業部
-
石倉 幸冶
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
松永 高冶
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
吉田 貞義
Nec化合物デバイス
著作論文
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- ワイヤレスブロードバンド用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (デジタルコンシューマ分野向け半導体)
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ