富田 正俊 | NEC関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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竹村 浩一
NEC基礎研究所
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
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加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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竹村 浩一
NEC 基礎研究所
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宮坂 洋一
NEC 基礎研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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宮坂 洋一
Nec 基礎研
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尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
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播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
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富田 正俊
NEC化合部デバイス事業部
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Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
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田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
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三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
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播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
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東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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及川 洋一
ULSIデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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Hau Gary
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
著作論文
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
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- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET
- C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討