尾藤 康則 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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加藤 武彦
Nec化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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加藤 武彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
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西村 武史
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC 化合物デバイス事業部
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加藤 武彦
NEC 化合物デバイス事業部
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岩田 直高
NEC 化合物デバイス事業部
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高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気
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岩田 直高
Necエレクトロニクス
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NEC化合部デバイス事業部
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NEC化合部デバイス事業部
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Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
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NEC化合部デバイス事業部
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NEC化合部デバイス事業部
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播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
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NEC化合部デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
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竹村 浩一
NEC 基礎研究所
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宮坂 洋一
NEC 基礎研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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宮坂 洋一
Nec 基礎研
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竹村 浩一
NEC基礎研究所
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
著作論文
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価