単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
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概要
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携帯電話の小型軽量化と低コス卜化が進んでいる。これに対応するには負電源回路の省略も一方策である。そのため、単一電源動作が可能な高出力素子が強く求められている。今回、1.0μm長のWSiゲートを有するヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、単一3.4V動作において950MHz PDC出力特性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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