C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-07
著者
-
播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
-
田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
-
三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
-
播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
-
東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
黒沢 直人
NEC化合物デバイス事業部
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
-
東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
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