AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
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概要
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HBT ICの実用に向けて重要な課題である消費電力の低減を目的として、微細HBTの高周波特性向上をはかった。高速性と低消費電力性の両立を阻害する要因がエミッタ抵抗であることを見出すとともに、エミッタ層のドーピングプロファイルの最適化によりエミッタ抵抗を従来比1/5に低減した結果、素子遅延時間のエミッタ面積依存性が従来比30%に抑制され、エミッタ面積S_E:15μm^2でf_r:140GHz、S_E:2.7μm^2の微細素子でもf_r:110GHzの高速性能を得た。この微細HBTを用いて試作した低消費電力型分周器において、1W以下の消費電力のもと40GHzの分周動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-19
著者
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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