900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
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概要
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大信号シミュレーションを用いたパワーMOSFETの特性解析手法について報告する。パワーMOSFETはGaAs FET等に比較してゲート幅が大きくなるため、入出力損失を抑制するデバイス設計が必要である。この入出力損失と、デバイスの損失を除いた真性の特性を、大信号シミュレーションを用いて分離して評価した。またゲート幅と飽和出力の関係に着目し、両者を関係づける解析式を求めた。これらの解析結果をGSM方式携帯電話用パワーMOSFETのデバイス設計に取り入れ、900MHzにおいて飽和出力35.5dBm、付加電力効率55%、利得10.5dBを達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NEC光エレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
-
井上 壽明
Nec化合物デバイス事業部
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
戸田 鉄
NEC化合物デバイス事業部
-
松野 典朗
NEC光エレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小瀬 泰
NEC化合物デバイス事業部
-
矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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