C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
藤井 正浩
日本電気(株)
-
藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
-
藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
-
和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
和田 茂己
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
-
前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
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