0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲートフリンジング容量 (C^<ext>_f) を低減した2段T型ゲート構造 (Double-Deck-Shaped Gate Structure) を持つ、高性能0.1μmゲートGaAs-HJFETを開発した。本報告は、この構造を実現するために開発した、Wマスク転写によるT型絶縁膜開ロドライエッチングプロセス、並びに、コリメートWSiスパッタと無電解金メッキ技術によるゲート金属完全埋め込みプロセスに関するものである。試作した0.1μm WSi/Ti/Pt/Auゲートn-Al_<0.2>Ga_<0.8>As/In_<0.15>Ga_<0.85>As-HJFETは、f_T=120GHz、f_<max>=165GHz、σV_T=39mVという優れた特性と均一性を実現した。本技術は、ゲート容量が低減できるゲート構造を、高融点ゲート金属で完全に埋込むことが可能なうえ、エッチングプロセスの全てをドライ化しており、FETの性能、均一性、信頼性の全ての向上が実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
著者
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
-
和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
和田 茂己
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
-
前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
関連論文
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- 携帯機器に向けたGaAs動画像動きベクトル検出回路
- 携帯機器に向けたGaAs動画像動きベクトル検出回路
- 携帯機器に向けたGaAs動画像動きベクトル検出回路
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 超高速・低電力16ビットGaAs BLC加算回路の設計、試作、評価
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
- 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
- 超低消費電力2.4Gb/s 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
- 超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
- 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- 40Gb/s信号向け広帯域波形イコライザモジュールの開発および波長多重長距離光伝送実験系での動作検証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-43 広帯域波形イコライザ・モジュールによる100Gb/s DQPSK信号の歪補償(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- B-10-38 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた電気分散補償器制御(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-34 43Gb/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定方法(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
- 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
- 低電圧駆動疑似差動型フリップフロップ : QD-FF(Quasi Differential switch Flip-Flop)
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- 0.5μm GaAs HJFETを用いた10 Gbps動作低消費電力ソースフォロワレスSCFL D-FF
- C-12-48 ソフトウェア無線用広帯域可変リコンフィギュラブルアナログベースバンド(C-12.集積回路,一般セッション)
- ソースフォロワを除去した低消費電力GaAs SCFL D-FFの提案
- C-3-31 10Gbps光通信用プリアンプ内蔵超格子APDモジュール
- 回路シミュレータ用高精度HJFETゲート容量モデル