0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
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概要
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次世代動画対応携帯端末向けICとして、ゲート長0.1μmのGaAs-HJFETを用い、Ka帯256/258可変分周器ICを試作した。ICを構成する基本素子には、ゲートフリンジング容量(C^<ext>_f)が低減可能な0.1μmDouble-Deck-Shaped(DDS)ゲート構造Enhancement(E)/Depletion(D)型HJFETを開発・採用した。またICのアーキテクチャには、パルススワロカウンタ方式を採用し、基本回路には高速・低消費電力動作に優れるQuasi-Differential switch Flip-Flop(QD-FF)を、入力バッファ回路には低電圧駆動にて両相信号が得られるSource-Coupled push-pull Circuit(SCC)を用いた。試作したICを評価した結果、電源電圧1.0Vにおいて、動作速度28GHz、消費電力120mWを得ることができた。この結果は、可変分周速度で従来報告例の約2倍、消費電力で従来トレンドの約1/50である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
藤井 正浩
日本電気(株)
-
藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
-
藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
徳島 正敏
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
-
和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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