山崎 仁 | NECデバイスプラットフォーム研究所
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概要
関連著者
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
-
和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
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徳島 正敏
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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天宮 泰
日本電気株式会社
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大平 理覚
Necシステム実装研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
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野田 有秀
NECシステムプラットフォーム研究所
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大平 理覚
NEC光デバイス事業部
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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和田 茂己
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
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前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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福知 清
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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竹下 仁士
NECネットワーキング研究所
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竹下 仁士
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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竹下 仁士
NECシステムプラットフォーム研究所
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細谷 健一
日本電気株式会社
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伊東 俊治
Nec C&c メディア研究所
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細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
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福知 清
Nec システムプラットフォーム研
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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福知 清
NECシステムプラットフォーム研究所
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伊東 俊治
NECシステムプラットフォーム研究所
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岡本 稔
Necエンジニアリング(株)
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藤田 定男
日本電気株式会社第一伝送通信事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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藤田 定男
NECシステムプラットフォーム研究所
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吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂己
NEC研究企画部
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野田 有秀
NECナノエレクトニクス研究所
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天宮 泰
NEC システムデバイス研究所
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藤田 定男
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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山瀬 知行
日本電気株式会社
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帰山 隼一
日本電気株式会社
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野口 栄実
日本電気株式会社
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山崎 仁
日本電気株式会社
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正田 裕明
日本電気株式会社
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池田 博伸
日本電気株式会社
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高橋 次男
日本電気株式会社
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大平 理覚
日本電気株式会社
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野田 有秀
日本電気株式会社
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川原 信広
日本電気株式会社
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス(株)
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野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
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本城 和彦
日本電気株式会社
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天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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福知 清
NEC システムプラットフォーム研究所
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伊東 俊治
NEC システムプラットフォーム研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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鈴木 康之
NECシステムデバイス研究所
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
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山崎 仁
NEC
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冨士原 明
NEC
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
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大平 理覚
NEC 生産技術研究所
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山崎 仁
NEC システムデバイス研究所
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竹下 仁士
NEC システムプラットフォーム研究所
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野田 有秀
NEC 生産技術研究所
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丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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藤井 正浩
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
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田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
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細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎一
Nec システムデバイス研究所
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鈴木 康之
NEC システムデバイス研究所
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山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
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樋田 光
Necエレクトロニクス
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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樋田 光
Nec
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鈴木 康之
Nec システムデバイス研
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山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
鈴木 康之
NEC
著作論文
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
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- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
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- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
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- 40Gb/s信号向け広帯域波形イコライザモジュールの開発および波長多重長距離光伝送実験系での動作検証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET