山崎 仁 | Nec 光・超高周波デバイス研

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概要

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• Nec 光・超高周波デバイス研の論文著者

関連著者

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 和田 茂巳

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC システムデバイス研究所

• 和田 茂己

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 前多 正

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

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著作論文

• C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET

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