山崎 仁 | NEC光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
-
和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
-
和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
徳島 正敏
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
-
和田 茂己
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
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前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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本城 和彦
日本電気株式会社
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
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細谷 健一
日本電気株式会社
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丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
藤井 正浩
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
-
細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
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- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET