徳島 正敏 | NEC光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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和田 茂己
NEC光・超高周波デバイス研究所
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徳島 正敏
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
著作論文
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- 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
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- 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
- 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
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