石川 昌興 | NEC光・超高周波デバイス研究所

スポンサーリンク

概要

• 石川 昌興の詳細を見る
• 同名の論文著者
• NEC光・超高周波デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 和田 茂巳

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 和田 茂己

  NEC システムデバイス研究所

• 和田 茂己

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 徳島 正敏

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 徳島 正敏

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 沼田 圭市

  NEC

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 前多 正

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

• 樋田 光

  Necエレクトロニクス

• 大野 泰夫

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 吉田 信秀

  NEC光・無線デバイス研究所

• 前多 正

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 吉田 信秀

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大野 泰夫

  Nec

• 吉田 信秀

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宋生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宋生

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 松野 典明

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 吉田 信秀

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

もっと見る 閉じる

著作論文

• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
• 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
• 超低消費電力2.4Gb/s 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
• 超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
• 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
• C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET
• 0.1μm Double-Deck-Shaped (DDS)ゲート構造GaAs-HJFET

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク