丹羽 隆樹 | NEC化合物デバイス事業部

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概要

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• NEC化合物デバイス事業部の論文著者

関連著者

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 永野 暢雄

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 田中 愼一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 細谷 健一

  日本電気株式会社

• 丹羽 隆樹

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 本城 和彦

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  Nec システムプラットフォーム研

• 天宮 泰

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大平 理覚

  日本電気株式会社

• 百々 秀彰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 福知 清

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 田中 愼一

  Necシステムデバイス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 播磨 史生

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 西村 武史

  NEC化合部デバイス事業部

• 田能村 昌宏

  NEC化合部デバイス事業部

• 三好 陽介

  NEC化合部デバイス事業部

• 播磨 史生

  NEC化合部デバイス事業部

• 東 晃司

  NEC化合部デバイス事業部

• 嶋脇 秀徳

  NEC化合部デバイス事業部

• 大平 理覚

  Necシステム実装研究所

• 竹内 剛

  Nec光無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 竹内 剛

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 和田 茂巳

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 山之内 慎吾

  日本電気(株)

• 嶋脇 秀徳

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NEC システムデバイス研究所

• 大平 理覚

  NEC C&Cメディア研究所

• 栗岡 千立

  NECエンジニアリング

• 和田 茂己

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 黒沢 直人

  NEC化合物デバイス事業部

• 山崎 仁

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 三好 陽介

  Nec化合物デバイス事業部

• 竹内 剛

  Nec光・無線デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 田中 慎一

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 大平 理覚

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 永野 暢雄

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 中善寺 知広

  NEC第一伝送通信事業部

• 前多 正

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 中善寺 知広

  日本電気株式会社 Necネットワークス 光ネットワーク事業本部 光デバイス事業部

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 東 晃司

  Nec化合物デバイス事業部

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
• C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
• HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
• マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
• 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
• AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
• GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験

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