p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
関連論文
- 94GHz帯HBT MMIC増幅器
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 60GHz帯CMOS増幅器とトランシーバ技術
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- B-10-51 分布ラマン増幅を併用した40Gb/s×8波-80km×5中継波長多重伝送実験
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- スパイラルコイルを用いた20Gb/s HBTプリアンプIC
- HBTによる10Gb/sクロック抽出用IC
- AlGaAs/GaAs HBT 2OGb/s変調器駆動回路
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- 40Gb/s信号向け広帯域波形イコライザモジュールの開発および波長多重長距離光伝送実験系での動作検証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-38 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた電気分散補償器制御(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-34 43Gb/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定方法(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
- C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-12-50 アイ開ロモニタを用いた自動識別点制御可能な40Gb/s CDR(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
- マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
- 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
- AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
- p-GaAsへの低コンタクト抵抗PdInオーミック電極
- MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- SC-8-5 60GHz 帯 RF フロントエンドデバイスとギガビット通信システムへの応用
- MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
- 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ