C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-07
著者
-
西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
-
田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
-
東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
-
嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
-
中井 一人
NEC化合物デバイス事業部
-
黒澤 直人
NEC化合物デバイス事業部
-
長谷川 安昭
NEC化合物デバイス事業部
-
黒沢 直人
NEC化合物デバイス事業部
-
東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
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