25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
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概要
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準ミリ波帯及びミリ波帯MICの開発のために高出力、高効率な増幅回路の検討が必要となる。今回、我々はHBTを用いた高出力増福回路を構成し、25GHz帯で良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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