900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
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概要
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近年、携帯端末等に用いられるパワーアンプ(PA)用デバイスの開発が盛んである。今回大信号シミュレータを用いて、携帯端末用Power MOSFETの特性解析を行い、ゲート幅を大きくした場合の整合回路の損失について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
-
井上 壽明
Nec化合物デバイス事業部
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
戸田 鉄
NEC化合物デバイス事業部
-
小瀬 泰
NEC化合物デバイス事業部
-
松野 典朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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