回路シミュレータ用HJFETモデルの高精度化 : DO特性の温度依存性のモデル化
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概要
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低電圧駆動HJFET LSIを実現する上で、温度変動に対する動作マージンの確保と、小さい論理振幅の中での動作マージンの確保が問題となる。これらの問題についてシミュレーションを行う場合、デバイスのDC特性の温度依存性とSubthreshold電流特性を正確に記述したモデルが必要となる。今回この要求を満たす、回路シミュレータ用HJFET DCモデルの検討を行ったので報告する。
- 1994-09-26
著者
-
樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
-
樋田 光
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
松野 典朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
樋田 光
Necエレクトロニクス
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