40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
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概要
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高い電流利得遮断周波数(f_T)と最大発振周波数(F_<max>)を有するp^+再成長外部べースAlGaAs/InGaAs HBTを基本素子とした、40Gb/s光伝送用プリアンプを実現した。試作したプリアンプは、帯域34.6GHz、トランスインピーダンス利得41.6dBΩを有し、40Gb/sデータの受信器として使用可能な特性を示した。本結果より、今後p^+再成長外部ペースAlGaAs/InGaAs HBTの40Gb/s光伝送システムへの応用が期待される。
- 1996-07-23
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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