AlGaAs/GaAs HBT 2OGb/s変調器駆動回路
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概要
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次世代光通信システムと期待される2OGb/s以上のシステムでは装置の小型化と高性能化の観点から構成回路のIC化が必要不可欠である。化合物HBTは、優れた高周波特性と逆流駆動能力から、これらのシステムへの適用が期待できる。我々は素子の高均一化を実現するHG-FSTプロセスを開発し、10Gb/s以上の各種超高速ICの開発を行っている。今回光送信器のキー・コンボーネントである変調器駆動回路をHBTを用いて試作し、20Gb/sにおいて良好な動作特性を実現したので報告する。
- 1994-09-26
著者
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
手塚 宏
光エレクトロニクス研究所
-
洲崎 哲行
光エレクトロニクス研究所
-
手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
-
永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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