SiGe/Siフォトディテクタ搭載1Gb/sx8チャネルSi-OEICの開発
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概要
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SiGe/Siフォトディテクタ搭載8チャネル並列光伝送型Si-OEICを作製した。プリアンプとリミッタ間のカップリングのために、ミラーインテグレータ回路を用いたオフセットキャンセル回路を採用して、外部容量を付加せずに時定数が大きなローパスフィルタを構成し、オフセット電圧を補償した。本ICは、電源電圧3・3V駆動で低消費電力を実現した。波長980nmにおいて、SiGe/Siフォトディテクタの外部量子効率は20%であり、1Gb/sの入力信号でSi-OEICの受信感度は-10.4dBmを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-21
著者
-
江村 克己
Nec C&cメディア研究所
-
江村 克己
Nec光エレクトロニクス研究所
-
森川 武則
NEC C&Cメディア研究所
-
早田 征明
NEC C&CLSI開発本部
-
塩入 智美
NEC C&Cメディア研究所
-
佐藤 文彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
手塚 宏
NEC C&Cメディア研究所
-
辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
-
田代 勉
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
塩入 智美
日本電気(株) C&cメディア研究所
-
佐藤 文彦
Nec 先端デバイス開発本部
-
江村 克己
Nec C&cメディア研
-
早田 征明
Necエレクトロニクス(株)
-
手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
-
森川 武則
Nec C&cメディア研究所
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