辰巳 徹 | NEC シリコンシステム研究所

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概要

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• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 古川 昭雄

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 古川 昭雄

  Nec シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  Nec シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 潔

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研究所

• 江村 克己

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 森川 武則

  NEC C&Cメディア研究所

• 早田 征明

  NEC C&CLSI開発本部

• 塩入 智美

  NEC C&Cメディア研究所

• 佐藤 文彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 手塚 宏

  NEC C&Cメディア研究所

• 田代 勉

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 塩入 智美

  日本電気(株) C&cメディア研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  先端デバイス開発本部

• 古川 昭雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 寺井 真之

  早稲田大学

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  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 敏幸

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• 小倉 卓

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  NEC シリコンシステム研究所

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• 森岡 あゆ香

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• 増崎 幸治

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• 望月 康則

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  NEC Electronics Corporation

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

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  Necシステムデバイス研究所

• 佐藤 文彦

  Nec 先端デバイス開発本部

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 早田 征明

  Necエレクトロニクス(株)

• 竹内 潔

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 眞子 祥子

  NEC基礎研究所

• 寒川 誠二

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 手塚 宏

  Nec C&cメディア研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 森川 武則

  Nec C&cメディア研究所

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 森岡 あゆ香

  NECグリーンイノベーション研究所

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著作論文

• 弗素化アモルファスカ-ボン低誘電率膜の生成とULSI多層配線への適応 (特集 新材料の導入と半導体プロセス技術)
• SiGe/Siフォトディテクタ搭載1Gb/sx8チャネルSi-OEICの開発
• Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
• 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
• 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
• プラズマCVDによる低誘電率絶縁膜堆積技術 (特集 半導体製造プロセス用ケミカルスの新展開(Part1))

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