辰巳 徹 | NECマイクロエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 辰巳 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 佐藤 文彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 田代 勉

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐藤 文彦

  Nec 先端デバイス開発本部

• 手塚 宏

  Nec C&cメディア研究所

• 橋本 隆介

  NECエレクトロニクス(株)

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研究所

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研

• 森川 武則

  Nec C&cメディア研究所

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研究所

• 江村 克己

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 手塚 宏

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 早田 征明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 塩入 智美

  日本電気(株) C&cメディア研究所

• 中村 聡

  日本電気株式会社

• 早田 征明

  Necエレクトロニクス(株)

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 森川 武則

  NEC C&Cメディア研究所

• 早田 征明

  NEC C&CLSI開発本部

• 塩入 智美

  NEC C&Cメディア研究所

• 橋本 隆介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 手塚 宏

  日本電気(株)C&Cメディア研究所

• 洲崎 哲行

  日本電気(株)C&Cメディア研究所

• 手塚 宏

  NEC C&Cメディア研究所

• 塩入 智美

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 森川 武則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 早田 征明

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 酒井 朗

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 古川 昭雄

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 古川 昭雄

  Nec シリコンシステム研究所

• 中原 寧

  先端デバイス開発本部

• 洲崎 哲行

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 古川 昭雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 秋本 晃一

  Necマイクロエレ研

• 石田 宏一

  Necシリコンシステム研究所

• 中原 寧

  NEC Electronics Corporation

• 森川 武則

  日本電気(株)C&Cメディア研究所

• 橋本 隆介

  日本電気(株)ULISデバイス開発研究所

• 佐藤 文彦

  日本電気(株)ULISデバイス開発研究所

• 田代 勉

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 中村 聡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 早田 征明

  日本電気光エレクトロニクス研究所

• 手塚 宏

  日本電気光エレクトロニクス研究所

• 佐藤 文彦

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 橋本 隆介

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 中村 聡

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 辰巳 徹

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 洲崎 哲行

  日本電気光エレクトロニクス研究所

• 田代 勉

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研

• 五十嵐 信行

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  Necマイクロエレクトロニクス研

• 竹内 潔

  Nec シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 眞子 祥子

  NEC基礎研究所

• 寒川 誠二

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 辰巳 徹

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 酒井 朗

  NECマイクロ研

• 石田 宏一

  NECマイクロエレ研

• 早田 征明

  日本電気(株)c&c Lsi開発本部

• 手塚 宏

  日本電気(株)c&cメディア研究所

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

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著作論文

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• SiGe/Siフォトディテクタ搭載1 Gb/s動作8チャネル並列光伝送型OEIC
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• 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
• 14a-DH-10 Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長における欠陥とアイランド構造の形成
• 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察

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