古川 昭雄 | Nec シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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古川 昭雄
Nec シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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竹内 潔
Nec シリコンシステム研究所
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竹内 潔
NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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洲崎 哲行
NEC C&C メディア研究所
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辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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栗栖 正和
NEC C&C LSI開発本部
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金子 信
NEC C&C LSI開発本部
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田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
先端デバイス開発本部
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西川 真人
NEC C&C LSI開発本部
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浅沢 博
NEC モバイルコミュニケーション事業部
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田辺 昭
NEC シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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落合 幸徳
JST
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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西川 真人
Nec C&c Lsi開発本部
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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金子 信
Nec C&c Lsi開発本部
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竹内 潔
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中原 寧
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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眞子 祥子
NEC基礎研究所
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寒川 誠二
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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栗栖 正和
Nec C&c Lsi開発本部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
著作論文
- 0.15μm CMOS技術による3Gb/sマルチプレクサと11.8GHzプリスケーラ回路の開発
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ