落合 幸徳 | Nec基礎・環境研究所
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概要
関連著者
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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落合 幸徳
JST
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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石田 真彦
NEC基礎・環境研究所
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二瓶 史行
NEC基礎研
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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本郷 廣生
NEC基礎研
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本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
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本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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落合 幸徳
NEC基礎研究所
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藤田 淳一
NEC基礎研
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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松井 真二
Nec 基礎研
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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馬場 寿夫
NEC基礎研
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所
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日浦 英文
NEC 基礎研
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日浦 英文
NECナノエレ研
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日浦 英文
Nec基礎研
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松井 真二
NEC基礎研究所
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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落合 幸徳
NECシリコンシステム研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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曽根 純一
NEC基礎研究所
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落合 幸徳
日本電気(株)基礎研究所
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日浦 英文
NEC基礎・環境研
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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曽根 純一
東大
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村上 浩一
筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"
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目良 裕
東大工
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前田 康二
東大工
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大野 雄高
名大工
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木村 滋
JASRI
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松井 真二
姫路工業大学高度産業科学技術研究所
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奥野 恒久
和歌山大シス工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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目良 裕
東大院工
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谷垣 勝巳
東北大理
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本間 芳和
東京理科大学
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谷垣 勝巳
NEC基礎研
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
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山田 明
東工大
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
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上田 修
金沢工大
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石橋 幸治
理研
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中嶋 健
東京工業大学
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森田 清三
阪大院
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馬場 雅和
NEC基礎研究所
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重川 秀実
筑波大物質工
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粟野 祐二
慶大
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荒川 太郎
横浜国大
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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古川 昭雄
Nec シリコンシステム研究所
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中原 寧
先端デバイス開発本部
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古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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二瓶 史行
日本電気(株)基礎研
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蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
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本間 芳和
東理大理
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荻野 俊郎
横国大
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高橋 琢二
東大
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佐野 芳明
沖電気
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中嶋 健
東工大
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松本 和彦
阪大
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篠塚 雄三
和歌山大
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徳光 永輔
東工大
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荒川 太郎
横国大
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小林 慶裕
阪大
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佐藤 信太郎
富士通研
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赤澤 方省
NTT
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渡辺 精一
北大
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尾崎 信彦
和歌山大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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森田 清三
阪大理
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須原 理彦
首都大
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藤田 淳一
Nec基礎研究所
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小野 晴彦
マイクロエレ研
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皆藤 孝
セイコーインスツルメント株式会社 科学機器事業部
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渡辺 精一
北大・工学部
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望月 康則
NEC基礎研
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渡部 平司
NEC基礎研
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大久保 紀雄
NEC基礎研
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木村 滋
マイクロエレ研
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本間 芳和
東理大
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市橋 鋭也
日本電気基礎環境研
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藤田 淳一
筑波大物工
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石田 真彦
日本電気基礎環境研
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落合 幸徳
日本電気基礎環境研
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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篠塚 雄三
和歌山大学大学院システム工学研究科
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山下 浩
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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大野 雄高
名大
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中村 泰信
NEC基礎・環境研究所
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奥野 恒久
和歌山大
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重川 秀実
筑波大
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竹内 潔
Nec シリコンシステム研究所
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竹内 潔
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中原 寧
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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眞子 祥子
NEC基礎研究所
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寒川 誠二
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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村上 浩一
筑波大
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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森田 清三
阪大
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馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
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馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
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伊東 千尋
和歌山大
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中村 泰信
Necエレクトロニクス研究所:riken
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山田 明
東工大量子セ
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高井 大祐
NEC基礎研究所
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松井 真二
姫路工大高度産業科学技術研究所
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皆藤 孝
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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皆藤 孝
セイコーインスツルメンツ(株)科学機器事業部
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前田 康二
東大、工
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松井 真二
姫路工業大学理学部大学院高度研crest-jst
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二瓶 史行
日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーtg
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日浦 英文
日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG
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本郷 廣生
日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG
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石田 真彦
日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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前田 康二
東大 工
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山下 浩
日本電気(株)エレクトロンデバイス
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皆藤 孝
セイコーイソスツルメンツ (株) 科学機器事業部
著作論文
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
- 高解像度電子線レジスト材料「カリックスアレーン」 (特集 ナノ加工技術)