落合 幸徳 | Nec基礎・環境研究所

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概要

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• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 石田 真彦

  NEC基礎・環境研究所

• 二瓶 史行

  NEC基礎研

• 二瓶 史行

  Nec基礎・環境研究所

• Nihey F

  Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn

• Nihey Fumiyuki

  Nec Fundamental Research Laboratories

• 二瓶 史行

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• Nihey Fumiyuki

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• 藤田 淳一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 本郷 廣生

  NEC基礎研

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 二瓶 史行

  技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構

• 落合 幸徳

  NEC基礎研究所

• 藤田 淳一

  NEC基礎研

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 松井 真二

  日本電気(株)基礎研究所

• 松井 真二

  Nec 基礎研

• 阪本 利司

  NEC基礎・環境研究所

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 馬場 寿夫

  NEC基礎研

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 川浦 久雄

  NEC基礎・環境研究所

• 馬場 寿夫

  Nec基礎研究所

• 日浦 英文

  NEC 基礎研

• 日浦 英文

  NECナノエレ研

• 日浦 英文

  Nec基礎研

• 松井 真二

  NEC基礎研究所

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 落合 幸徳

  NECシリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 曽根 純一

  NEC基礎研究所

• 落合 幸徳

  日本電気(株)基礎研究所

• 日浦 英文

  NEC基礎・環境研

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 曽根 純一

  東大

• 村上 浩一

  筑波大学, 筑波大特プロ"ナノサイエンス"

• 目良 裕

  東大工

• 前田 康二

  東大工

• 大野 雄高

  名大工

• 木村 滋

  JASRI

• 松井 真二

  姫路工業大学高度産業科学技術研究所

• 奥野 恒久

  和歌山大シス工

• 大野 雄高

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 伊東 千尋

  和歌山大シス工

• 目良 裕

  東大院工

• 谷垣 勝巳

  東北大理

• 本間 芳和

  東京理科大学

• 谷垣 勝巳

  NEC基礎研

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 須原 理彦

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 山田 明

  東工大

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 蔡 兆申

  Necエレクトロニクス研究所:riken

• 上田 修

  金沢工大

• 石橋 幸治

  理研

• 中嶋 健

  東京工業大学

• 森田 清三

  阪大院

• 馬場 雅和

  NEC基礎研究所

• 重川 秀実

  筑波大物質工

• 粟野 祐二

  慶大

• 荒川 太郎

  横浜国大

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 古川 昭雄

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 古川 昭雄

  Nec シリコンシステム研究所

• 中原 寧

  先端デバイス開発本部

• 古川 昭雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎研

• 蔡 兆申

  NEC基礎・環境研究所

• 本間 芳和

  東理大理

• 荻野 俊郎

  横国大

• 高橋 琢二

  東大

• 佐野 芳明

  沖電気

• 中嶋 健

  東工大

• 松本 和彦

  阪大

• 篠塚 雄三

  和歌山大

• 徳光 永輔

  東工大

• 荒川 太郎

  横国大

• 小林 慶裕

  阪大

• 佐藤 信太郎

  富士通研

• 赤澤 方省

  NTT

• 渡辺 精一

  北大

• 尾崎 信彦

  和歌山大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 森田 清三

  阪大理

• 須原 理彦

  首都大

• 藤田 淳一

  Nec基礎研究所

• 小野 晴彦

  マイクロエレ研

• 皆藤 孝

  セイコーインスツルメント株式会社 科学機器事業部

• 渡辺 精一

  北大・工学部

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 渡部 平司

  NEC基礎研

• 大久保 紀雄

  NEC基礎研

• 木村 滋

  マイクロエレ研

• 本間 芳和

  東理大

• 市橋 鋭也

  日本電気基礎環境研

• 藤田 淳一

  筑波大物工

• 石田 真彦

  日本電気基礎環境研

• 落合 幸徳

  日本電気基礎環境研

• 中原 寧

  NEC Electronics Corporation

• 本間 芳和

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所

• 篠塚 雄三

  和歌山大学大学院システム工学研究科

• 山下 浩

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 大野 雄高

  名大

• 中村 泰信

  NEC基礎・環境研究所

• 奥野 恒久

  和歌山大

• 重川 秀実

  筑波大

• 竹内 潔

  Nec シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中原 寧

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 眞子 祥子

  NEC基礎研究所

• 寒川 誠二

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 村上 浩一

  筑波大

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 森田 清三

  阪大

• 馬場 雅和

  Nec 基礎・環境研

• 馬場 雅和

  Nec基礎研:crest-jst

• 伊東 千尋

  和歌山大

• 中村 泰信

  Necエレクトロニクス研究所:riken

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山田 明

  東工大量子セ

• 高井 大祐

  NEC基礎研究所

• 松井 真二

  姫路工大高度産業科学技術研究所

• 皆藤 孝

  エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

• 皆藤 孝

  セイコーインスツルメンツ(株)科学機器事業部

• 前田 康二

  東大、工

• 松井 真二

  姫路工業大学理学部大学院高度研crest-jst

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーtg

• 日浦 英文

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 本郷 廣生

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 石田 真彦

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 木村 滋

  (財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 前田 康二

  東大 工

• 山下 浩

  日本電気(株)エレクトロンデバイス

• 皆藤 孝

  セイコーイソスツルメンツ (株) 科学機器事業部

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著作論文

• 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
• ナノ構造技術
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
• トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
• 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
• 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
• 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
• 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
• カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
• カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
• CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
• 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
• 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
• 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• 電子ビーム露光技術の現状と展望
• 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
• 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
• 高解像度電子線レジスト材料「カリックスアレーン」 (特集 ナノ加工技術)

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