12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
市橋 鋭也
日本電気基礎環境研
-
藤田 淳一
筑波大物工
-
石田 真彦
日本電気基礎環境研
-
落合 幸徳
日本電気基礎環境研
-
市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
関連論文
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- 29p-XA-14 単層カーボンナノチューブ生成における金属の影響
- 26p-YN-1 CO_2レーザー(CW)による室温での単層カーボンナノチューブの生成
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 26pA-6 実時間位相制御原子ホログラフィー
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- 25p-YQ-13 Gray Scale Atom Holography
- 原子線ホログラフィ- (特集 干渉計の最近の動向)
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 5a-L-5 BaPb_Bi_xO_3の固溶体効果(I)
- 集束イオンビームによるナノ立体構造作製とその機械的特性 (特集 ナノテクノロジー)
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 原子線ホログラフィー
- 原子線ホログラフィー
- 技術解説/新製品・新技術 カーボンナノチューブへの微細電極形成法
- 29p-J-4 ナノスケール磁性体の磁気特性 II
- 26p-YJ-1 ナノスケール磁性体における磁気特性
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 技術解説 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
- 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
- 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
- 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
- 3a-Q-6 UHV-TEMによるSi表面の観察
- 27p-PSA-1 Si清浄表面のUHV-TEM観察
- 固相反応による鉄触媒からのCNT形成その場観察
- SbドープGa_In_P結晶における3倍周期構造(TP-A型自然超格子)の観察
- 高解像度電子線レジスト材料「カリックスアレーン」 (特集 ナノ加工技術)
- カーボンナノチューブの電子応用(ナノテクノロジ実装技術)
- 9aSE-1 サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)
- 31p-B1-15 BaPb_Bi_xO_3の固溶体効果(31p B1 低温)