CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-09-07
著者
-
二瓶 史行
NEC基礎研
-
本郷 廣生
NEC基礎研
-
落合 幸徳
JST
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
-
本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
石田 真彦
NEC基礎・環境研究所
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
-
Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
-
日浦 英文
NEC基礎・環境研
-
日浦 英文
NEC 基礎研
-
本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
-
日浦 英文
NECナノエレ研
-
落合 幸徳
Nec基礎・環境研
-
二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
日浦 英文
Nec基礎研
関連論文
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- カーボンナノチューブ技術 (ナノテクノロジー特集) -- (ナノテクノロジー基盤技術)
- 17pTJ-2 フラーレン内包単層カーボンナノチューブの電界効果
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- アンチドット格子中の複合フェルミオン
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホール液体転移
- 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 1a-M-4 周期構造を有するメソスコピック系における電気伝導の数値解析
- 27p-P-5 アンチドット構造におけるアハロノフ-ボーム効果
- 27a-B-7 磁場下二次元周期系における電気伝導現象の数値解析
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 29p-ZK-9 アンチドット構造における磁気輸送現象
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
- 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
- 31p-YA-6 アンチドット系の量子輸送現象(実験的側面)
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 12pWF-10 固相反応による鉄触媒からのカーボンナノチューブ形成過程その場観察(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- B-9-5 高信頼通信用機器コンポーネントおよびLayer2プロトコルを用いた緊急時の電源・通信確保(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
- 分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
- 27p-J-12 フラーレン、カーボン・ナノチューブの合成と生成機構
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
- 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
- 半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測
- ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
- Coulomb Blockade of Two Quantum Dots in Series
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
- 「カーボンナノチューブ発見10周年記念つくばシンポジウム」に参加して
- NEC カーボンナノチューブの研究で先行 (特集 21世紀超未来技術が世界を変える ナノテクノロジーの衝撃) -- (Interviews ニッポン・ナノテク最前線)
- 12. PbTe/Pb_Sn_xTe超格子における強磁場量子輸送現象(大阪大学大学院理学研究科物理学専攻,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
- 最新開発事例 カーボンナノチューブトランジスタ (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 化けた電子のAB効果--複合フェルミオンの量子干渉 (特集 メゾスコピック物理への招待)
- アンチドット系 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (3.磁場中の量子輸送現象)
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホ-ル液体転移
- B-9-5 Layer 2プロトコルを用いた機器電源制御(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- Numerical Studies on Quantum Transport in Antidot Arrays in Magnetic Fields
- A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Teansistor with a Titanium-Dioxide Insulator
- プリンタブルCNT薄膜トランジスタ
- 高解像度電子線レジスト材料「カリックスアレーン」 (特集 ナノ加工技術)
- 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
- 特集8 : 研究解説 : 2次元周期ポテンシャル下の2次元電子ガスの磁気輸送現象
- B-9-10 PoE拡張機器を用いた省エネサービス(B-9. 電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors with Very High Intrinsic Transconductance
- 9aSE-1 サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)
- デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発 (特集 創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性)