半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
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概要
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半導体ネットワーク(アンチドット構造)においてAharonov-Bohm振動を見いだした。磁気抵抗は磁場に対して周期的に振動し、その周期は磁束量子をネットワーク単位胞の面積で割った値にほぼ等しい。磁気抵抗振動は、サイクロトロン運動の直径がネットワーク周期にほぼ等しい磁場で増大する。この振動はアンチドットを周回する局在軌道の量子化に起因すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-23
著者
-
中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
-
二瓶 史行
NEC基礎研
-
中村 和夫
NEC基礎研
-
石坂 智
NEC基礎研究所
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
-
Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
-
二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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