中村 和夫 | NEC基礎研
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概要
関連著者
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中村 和夫
NEC基礎研
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
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二瓶 史行
NEC基礎研
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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木戸 義勇
物材機構
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三浦 登
物性研
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木戸 義勇
物性研
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中村 和夫
物性研
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木戸 義勇
東大物性研
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邑瀬 和生
阪大院理
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宇野 滋雄
阪大院理
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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三浦 登
東大物性研
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石坂 智
NEC基礎研究所
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中村 和夫
東大物性研
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本河 光博
東北大金研
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長田 俊人
物性研
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左近 拓男
東北大金研
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木戸 義勇
金材技研
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田沼 静一
いわき明星大理工
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高増 正
金材技研
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中村 和夫
NEC 基礎研
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二瓶 史行
マサチューセッツ工科大学
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Kastner M.A.
マサチューセッツ工科大学
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木村 真一
情報通信研究機構無線通信部門先進衛星技術実証グループ
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家 泰弘
物性研
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安藤 恒也
東大物性研
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近角 聰信
東大物性研
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田沼 静一
物性研
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田沼 静一
東大物性研
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二瓶 史行
NEC 基礎研
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田中 昭二
東大・工
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田中 昭二
東大・工・物理工学
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土屋 茂
通信総合研究所
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三浦 登
東大・工
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永井 康史
情報通信研究機構無線通信部門先進衛星技術実証グループ
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Heremans J.
Univ. de Louvain
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Michenaud J-P.
Univ. de Louvain
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末包 通信
東大物性研
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中村 和夫
東大・工
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木戸 義勇
東大・工
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木村 真一
通総研
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土屋 茂
通総研
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永井 康史
電通大
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森川 自
NEC
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近角 聰信
慶大 理工
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中村 和夫
日本電気株式会社基礎・環境研究所:科学技術振興機構crest:東京工業大学総合理工学研究科
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末包 通信
旭硝子株式会社 中央研究所
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末包 通信
旭硝子株式会社中央研究所:(現)旭硝子郡山電材株式会社
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中村 和夫
Nec
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宇佐見 康二
NEC基礎研:東工大院:JST-CREST
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南部 芳弘
JST-CREST
著作論文
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホール液体転移
- 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
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- 1a-M-4 周期構造を有するメソスコピック系における電気伝導の数値解析
- 27p-P-5 アンチドット構造におけるアハロノフ-ボーム効果
- 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
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- 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
- 30a-N-4 グラファイトの強磁場下における誘電異常
- 3a-A-12 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果 II
- 3a-A-11 低温強磁場に於けるグラファイトの電子相転移
- 3a-A-10 量子極限における半金属のキャリア数測定 : Biおよびグラファイトの磁歪
- 31p-E-9 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果
- 3p-NGH-1 グラファイトの磁気プラズマ波透過
- 3a-B-5 強磁場におけるn-GaPのサイクロトロン共鳴
- 30p-E-13 TiSe_2の相転移 III
- 1P1-10-028 ETS-vII におけるアンテナ結合機構応用実験
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 量子コンピュータ概論 : 量子コンピュータは何故速いのか?(シミュレーションが創る21世紀の技術)
- 24aWM-9 量子プロセストモグラフイーによる光学的デコヒーレンスチャネルの特性評価(24aWM 量子エレクトロニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))