長田 俊人 | 物性研
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概要
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長田 俊人
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富田 憲一
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Ohmichi E.
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Osada T.
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著作論文
- 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-11 多層Dirac粒子系の強磁場Hall効果(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aRB-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のvortex状態における熱測定(dmit・κ・τ塩,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-11 人工微細構造グラファイトの磁気抵抗測定(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-13 グラファイトを用いた人工微細構造の作製(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTF-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRB-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相における角度依存磁気抵抗振動(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 層状低次元導体における磁気抵抗角度効果(2)高電場下の層間磁気伝導
- 層状低次元導体における磁気抵抗角度効果(1)トンネル描像と層間コヒーレンス
- 25aYF-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2[M=Mn,Co,Cu,Zn]の低温電子状態(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aRB-8 多層Dirac電子系の磁場中電気伝導と普遍コンダクタンス(25aRB ディラック電子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- グラファイトの磁気輸送とディラック電子 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 多層Dirac電子系の層間磁気抵抗(京都大学基礎物理学研究所共同利用研究会「分子性ゼロギャップ物質の新物性」,研究会報告)
- 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
- 3a-A-11 低温強磁場に於けるグラファイトの電子相転移
- 20aWF-4 層状低次元導体における非対角磁気抵抗の磁場角度依存性(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRB-16 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-16 平行磁場下および磁気貫通系における磁気抵抗共鳴現象のトンネル描像(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-5 低次元導体における非対角磁気伝導の角度依存性(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pTE-6 X線・中性子透明パルス磁石の開発(27pTE 磁気共鳴一般・実験技術開発・酸化物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aYB-9 層状有機導体における角度依存磁気抵抗現象の起源 : 半導体単層系を用いた実験(24aYB ゼロギャップ半導体,磁気抵抗,領域7(分子性固体・有機導体))
- Magnetotransport and Magnetic-Field-Induced Density Waves in Low-Dimensional Layered Conductors
- 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTA-11 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTA-5 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTA-7 グラフェン接合系における量子ホール端伝導(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aQB-9 交互積層型層状物質の角度依存磁気抵抗振動(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pRB-5 多層Dirac電子系の層間磁気抵抗(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRC-10 傾斜磁場下の多層量子ホール系の層間伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXH-2 定常磁場下におけるマイクロカンチレバーを用いた高感度高周波ESR測定装置の開発(25pXH 実験技術開発,磁気共鳴一般,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pXL-13 傾斜磁場下の多層量子ホール系の表面伝導(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-4 傾斜磁場下における少数層超格子の層間抵抗のピーク(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTR-8 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態II(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-7 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定2(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTE-7 グラフェン接合系における量子ホール端伝導(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- α-(BEDT-TTF)Iにおけるディラック電子系の比熱とその磁場効果
- 19pEB-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下熱電効果測定(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXN-5 圧力下α-(BEDT-TTF)_2I_3のディラック電子系における熱起電力・ネルンスト効果(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))