鴻池 貴子 | 東大物性研
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概要
関連著者
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鴻池 貴子
東大物性研
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長田 俊人
東大物性研
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鴻池 貴子
物性研
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長田 俊人
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内田 和人
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鴻池 貴子
阪市大院理
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佐藤 光幸
東大物性研
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吉野 治一
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佐藤 光幸
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佃 明
東大物性研
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東大物性研
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阪市立大院理
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鴻池 貴子
阪市大院・理
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理論・物理化学研(ギリシャ)
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吉野 治一
阪市大院・理
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東大物性研
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学習院大理
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高橋 利宏
学習院大理
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東北大金研
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東大物性研
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村田 恵三
阪市大
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村田 恵三
阪市大院・理
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岩下 健一
阪市大院・理
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村田 惠三
阪市大院・理
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菅原 滋晴
東大物性研
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村田 恵三
阪市大院理
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村田 惠三
阪市大院理
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今村 大樹
東大物性研
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井上 心愛
東大物性研
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菅原 滋晴
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東大物性研
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村田 惠三
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物材機構
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物材機構
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物材機構
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物材機構
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阪大院理
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日大文理
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日大文理
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山形大理
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山形大理
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宇治 進也
物材機構(nims):筑波大数理物質
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山形大理
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阪市大院理
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阪市大院理
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金材技研
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東大物性研
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大阪市大院理
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大阪市大院理
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阪府大先端研
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吉野 浩一
阪市大院・理
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小林 嶺夫
高エネルギー物理学研究所
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Papavassiliou G.c
理論・化学物理研(アテネ)
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山形大 理
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小田 晃寛
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清水 孝文
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理論・化学物理研(アテネ)
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小林 真帆
東邦大理
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清水 孝文
東大物性研
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上智大理工
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鴻池 貴子
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杉井 かおり
物材機構:筑波大数理
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小林 昭子
日大
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東大物性研
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寺嶋 太一
物質・材料機構
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森 彩花
東大物性研
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村田 恵三
大阪市大院・理
著作論文
- 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aE-1 τ-(EDO-S, S-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_, (y〜0.75)の静磁化率と反射スペクトル
- 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aXE-13 τ型有機伝導体の赤外反射スペクトル III
- 28aZA-11 τ型有機伝導体の赤外反射スペクトル II
- 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 強磁場下の有機伝導体のフェルミ面効果の研究 (強磁場下の物性の研究)
- 20aWF-4 層状低次元導体における非対角磁気抵抗の磁場角度依存性(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRB-16 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-5 低次元導体における非対角磁気伝導の角度依存性(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 31a-XB-7 τ-(EDO-S, S-DMEDT-TTF)_2X_(X=AuBr_I_y^)の磁気抵抗
- 18aWF-1 τ型有機伝導体の高磁場下での角度依存磁気抵抗
- 23aR-2 τ-(P-S,S-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_,(y〜0.75)の高磁場での輸送現象
- 強磁場下の有機伝導体のフェルミ面効果の研究
- 28aZA-9 新規τ型伝導体, τ-(EDO-R, R-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_ の電気抵抗および Shubnikov-de Haas 効果
- 18aWF-2 γ型有機電荷移動錯体の電子状態 : ^1H NMR
- 27aYX-10 τ型有機伝導体の磁化率の異方性
- 強磁場下での有機伝導体のフェルミ面効果の研究 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 26aE-3 τ-(EDO-S, S'-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)(AuBr_2)_の磁性:^1H-NMR
- 26p-N-9 τ-(EDO-S,S-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_1(AuBr_2)y, (y〜0.75)のM-1転移と対称性の変化
- 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTA-11 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTA-5 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-8 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態II(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aBK-7 分子性ゼロギャップ伝導体におけるヘリカル表面状態の実験的検証(25aBK ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aSB-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール伝導と界面状態(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pEB-4 多層ディラック電子系での量子ホール強磁性の検証実験(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXT-10 グラフェン接合系における量子ホール伝導と界面状態(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXJ-6 多層グラファイトの層間磁気抵抗測定とディラック粒子性(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXN-5 λ-(BETS)_2GaCl_4の強磁場電子状態(26aXN BEDT-TTF系,層状超伝導体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXN-6 多層ディラック電子系での量子ホール強磁性の検証実験II(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pDJ-6 強磁揚下での多層ディラック電子系の表面状態(ディラック電子系,領域7(分子性個体・有機導体))