内田 和人 | 物性研
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概要
関連著者
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内田 和人
物性研
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内田 和人
東大物性研
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長田 俊人
物性研
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鴻池 貴子
物性研
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長田 俊人
東大物性研
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鴻池 貴子
東大物性研
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長田 俊人
東京大学物性研究所
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嶽山 正二郎
東大物性研
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佃 明
東大物性研
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中原 大介
東大物性研
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今村 大樹
東大物性研
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Karczewski G.
ポーランド科学アカデミー
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Wojtowicz T.
ポーランド科学アカデミー
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Kossut J.
ポーランド科学アカデミー
-
G Karczewske
ポーランド科学アカデミー物理
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奥永 洋夢
東大物性研
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T Wojtowicz
ポーランド科学アカデミー
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Wojtowicz T.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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小嶋 映二
東大物性研
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小嶋 映二
物性研
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三浦 登
物性研
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小埜 和夫
東大物性研
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嶽山 正二郎
姫工大理
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三浦 登
東京大学物性研究所
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国松 洋
物性研
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三野 弘文
千葉大院・理
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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秋本 良一
産総研
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熊谷 篤
東大物性研
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佐藤 光幸
物性研
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横井 裕之
熊大自然
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佐藤 光幸
東邦大理
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南 信次
産総研ナノテク
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三野 弘文
千葉大院自然
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山口 龍
東大物性研
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横井 裕之
産総研
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三野 弘文
千葉大自然院
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金 柄祉
産総研ナノテク
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國松 洋
物性研
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Y Kim
ダンクック大応物
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南 信次
産総研ナノシステム
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金道 浩一
東大物性研
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物性研
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中嶋 誠
東大物性研
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三田村 裕幸
東大物性研
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東大物性研
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熊大工
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東大物性研
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カザウィ サイ
産総研ナノチューブ応用セ・ナノテク
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黒田 規敬
熊大院自然
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牧野 哲征
理研PDC
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牧野 哲征
兵庫県立大学大学院物質理学研究科
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塩谷 陽平
東大物性研
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清水 孝文
物性研
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中村 修司
物性研
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三田村 弘幸
東大物性研
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ウィーン工科大
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Michor Herwig
ウィーン工科大学
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カザウィ サイ
産総研ナノテク・ナノチューブ応用セ
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熊大工
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中川 雄一
熊大工
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サイ カザウィ
産総研ナノテク
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熊本工
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ポーランド科学アカデミー
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三田村 裕之
東大物性研
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中村 修司
東京大学物性研究所
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三田村 祐幸
東大 物性研
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名取 義顕
東大物性研
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Kossut J.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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佐藤 光幸
東大物性研
著作論文
- 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-11 人工微細構造グラファイトの磁気抵抗測定(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pTE-3 グラファイト細線の超強磁場下磁気抵抗測定(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aXB-11 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTF-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRB-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相における角度依存磁気抵抗振動(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pUF-3 分光計測による単層カーボンナノチューブのパルス磁場配向(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
- 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
- 28aPS-52 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-12 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 19pYF-6 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-4 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性II(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pPSA-67 極低温・強磁場での二次元荷電励起子(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
- 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
- グラファイトの磁気輸送とディラック電子 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aXB-11 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teにおける励起子分子発光とその強磁場効果(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
- 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTA-5 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-7 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定2(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- α-(BEDT-TTF)Iにおけるディラック電子系の比熱とその磁場効果
- 19pEB-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下熱電効果測定(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXN-5 圧力下α-(BEDT-TTF)_2I_3のディラック電子系における熱起電力・ネルンスト効果(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))