23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-08-18

著者

• 鴻池 貴子

  物性研

• 内田 和人

  物性研

• 長田 俊人

  物性研

• 長田 俊人

  東大物性研

• 内田 和人

  東大物性研

• 鴻池 貴子

  東大物性研

• 長田 俊人

  東京大学物性研究所

関連論文

• 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGT-11 多層Dirac粒子系の強磁場Hall効果(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pWB-9 擬2次元有機超伝導体(ET)_2Cu(NCS)_2のジョセフソン磁束フロー抵抗における四回対称性(κ-ET系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRB-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のvortex状態における熱測定(dmit・κ・τ塩,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pYB-5 κ-(BETS)_2FeBr_4の磁気熱効果と比熱(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pTE-3 κ-(BETS)_2X,(X=FeBr_4,FeCl_4,GaCl_4)における低温強磁場物性の比較(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-11 κ-(BETS)_2FeBr_4のシュブニコフ-ドハース振動におけるヒステリシス(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-9 λ-(BETS)_2FeCl_Br_xの磁場誘起超伝導(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-8 λ-(BETS)_2Fe_xGa_Cl_4の磁場誘起超伝導状態におけるvortex-antivortex状態(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYK-1 磁場誘起超伝導体,κ-(BETS)_2FeBr_4の磁気トルク(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 15pWH-5 磁場誘起超伝導体, κ-(BETS)_2FeBr_4 のシュブニコフ-ドハース振動と角度依存磁気抵抗振動(BETS 塩, 領域 7)
• 28pWL-1 擬二次元有機伝導体,κ-(BETS)_2FeBr_4の磁場誘起超伝導(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 29pPSA-46 UGe_2の圧力下磁場中電気抵抗測定II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aXD-4 UGe_2の圧力下磁場中電気抵抗測定(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 15pWF-2 インコヒーレントな層間結合をもつグラファイト層間化合物における低温伝導特性(グラファイト, 領域 7)
• 30pRB-1 有機不整合格子系伝導体(MDT-TS)(AuI_2)_の基底状態(30pRB 超伝導物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14aTM-2 有機不整合格子系超伝導体 (MDT-TSF)(I_3)_ のフェルミ面(陽ラジカル塩・ET 塩 : α型, 領域 7)
• 28pWL-12 ヨウ素無限鎖をもつ有機不整合格子系超伝導体(MDT-ST)(I_3)_の構造と電子状態(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-11 人工微細構造グラファイトの磁気抵抗測定(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-13 グラファイトを用いた人工微細構造の作製(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30pTE-3 グラファイト細線の超強磁場下磁気抵抗測定(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aXB-11 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 21aYG-9 PrInAg_2のdHvA効果と極低温物性(四極子,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pTF-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pRB-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相における角度依存磁気抵抗振動(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pUF-3 分光計測による単層カーボンナノチューブのパルス磁場配向(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pWB-9 θ-(BEDT-TTF)_2CsZn(SCN)_4の絶縁相における電荷輸送(ET塩(β,θ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aWF-3 微小Al試料のボルテックス状態における電流-電圧特性(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYG-5 微細加工したAl薄膜試料の電流-電圧特性(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
• 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
• 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
• 24pYK-2 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁場誘起超伝導状態におけるFFLO状態の可能性(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aPS-52 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aXB-12 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 層状低次元導体における磁気抵抗角度効果(2)高電場下の層間磁気伝導
• 層状低次元導体における磁気抵抗角度効果(1)トンネル描像と層間コヒーレンス
• 25aYF-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2[M=Mn,Co,Cu,Zn]の低温電子状態(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pYF-6 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYN-4 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性II(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aRB-8 多層Dirac電子系の磁場中電気伝導と普遍コンダクタンス(25aRB ディラック電子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pTM-10 微細幅を持つ擬一次元導体 NbSe_3 の磁気抵抗に現れるエッジ散乱効果(電荷密度波, 領域 6)
• 12pTM-5 NbSe_3 の磁場誘起相(電荷密度波, 領域 6)
• 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-67 極低温・強磁場での二次元荷電励起子(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
• 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
• グラファイトの磁気輸送とディラック電子 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
• 多層Dirac電子系の層間磁気抵抗(京都大学基礎物理学研究所共同利用研究会「分子性ゼロギャップ物質の新物性」,研究会報告)
• 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
• 3a-A-11 低温強磁場に於けるグラファイトの電子相転移
• 27pRB-5 θ-(BEDT-TTF)_2MZn(SCN)_4(M=Cs,Rb)の電荷秩序相における磁気抵抗(27pRB ET系(θ系),領域7,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWE-7 (TMTSF)_2ClO_4 の強磁場 SDW 状態におけるホール抵抗振動(TMTCF 塩, 領域 7)
• 29pWL-16 圧力下β"-(ET)(TCNQ)の輸送現象(ET塩・dmit系)(領域7)
• 20aWF-4 層状低次元導体における非対角磁気抵抗の磁場角度依存性(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pWA-5 UNi_2Al_3のdHvA効果(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRB-16 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-16 平行磁場下および磁気貫通系における磁気抵抗共鳴現象のトンネル描像(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYT-14 微小A1超伝導ディスクにおける伝導特性(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aYC-8 微細加工した Al 薄膜試料の電流-電圧特性 II(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
• 23aQB-5 低次元導体における非対角磁気伝導の角度依存性(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19aXB-11 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teにおける励起子分子発光とその強磁場効果(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
• 28pWL-2 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁場誘起超伝導状態におけるジョセフソンボルテックスのダイナミクスとFFLO状態(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 27pTE-6 X線・中性子透明パルス磁石の開発(27pTE 磁気共鳴一般・実験技術開発・酸化物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aYB-9 層状有機導体における角度依存磁気抵抗現象の起源 : 半導体単層系を用いた実験(24aYB ゼロギャップ半導体,磁気抵抗,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTA-11 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTA-5 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-8 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態II(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-7 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定2(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• α-(BEDT-TTF)Iにおけるディラック電子系の比熱とその磁場効果
• 25aBK-5 8GPa下のα-(BEDT-TTF)_2I_3のDirac Cone状態(25aBK ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pEB-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下熱電効果測定(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXN-5 圧力下α-(BEDT-TTF)_2I_3のディラック電子系における熱起電力・ネルンスト効果(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域7(分子性個体・有機導体))
• 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク