内田 和人 | 東大物性研
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概要
関連著者
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内田 和人
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長田 俊人
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内田 和人
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長田 俊人
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産総研ナノカーボン
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瀬川 勇三郎
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Kim Yongmin
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Karczewski Grzegorz
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ポーランド科学アカデミー
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Kossut J.
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理研フォトダイナミクス
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東大工
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東海林 篤
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藤原 修三
化技研
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サイ カザウィ
産総研ナノテク
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横井 裕之
熊本工
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Kulatov Erkin
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宇佐美 徳隆
東大先端研
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高橋 豊
Ibm 東京基礎研
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原 和彦
東工大像情報工学研
著作論文
- 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13a-DE-6 GaAs量子井戸の電磁濃縮法による超強磁場下におけるサイクロトロン共鳴
- 30p-N-14 電磁濃縮法による超強磁場サイクロトロン共鳴
- 25p-M-14 電磁濃縮法による500T超強磁場の発生とその応用
- 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28a-PS-97 強磁場下でのCuGeO_3のファラデー効果
- 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-11 人工微細構造グラファイトの磁気抵抗測定(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30pTE-3 グラファイト細線の超強磁場下磁気抵抗測定(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aXB-11 ZnSe/BeTeタイプII量子井戸におけるパルス強磁場磁気発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 26a-ZD-14 ファン・デア・ワールス・エピタキシャル法によるC_薄膜単結晶の磁気光学スペクトル
- 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTF-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRB-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相における角度依存磁気抵抗振動(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pUF-3 分光計測による単層カーボンナノチューブのパルス磁場配向(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aD-4 CdTe/ZnTe量子ドットにおける高圧下磁気フォトルミネッセンススペクトル
- 20pTH-8 変調ドープ n-CdTe/(Cd, Mg, Mn)Te 量子井戸における磁気ルミネッセンスの微細構造
- 30pYH-9 変調ドープ n-CdTe/(Cd, Mg, Mn) Te 量子井戸におけるν∿1 近傍の PL スペクトル異常
- 8a-E-8 CdTe/Cd_Mn_xTe単一量子井戸中の励起子スピン状態に対する圧力効果III
- 20pTH-7 GaAs/AlAs 隣接閉じ込め構造からの励起子磁気発光 II
- 20pTH-6 半導体ナノ構造における電子・正孔空間分離型励起子からの磁気発光ダイナミクス
- 30pZB-12 高周波電気伝導測定法を用いた超強磁場中グラファイトの電子状態 III
- 28aPS-52 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-12 タイプII量子構造での高密度励起パルス強磁場磁気分光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 28pYG-2 100T級超強磁場における2次元電子系の高周波電気伝導測定(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 20pWF-2 100T級超強磁場における擬二次元導体の輸送測定
- 25aSA-8 1巻きコイル法による100T級超強磁場における高周波伝導測定技術の開発
- 30aYG-12 自己組織化量子井戸構造物質における励起子の磁気光学効果
- 19pYF-6 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-4 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性II(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 31p-ZH-1 GaTeにおける励起子のエネルギー分裂
- 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aYJ-10 GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光と磁場誘起キャリア局在
- 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 1p-Q-4 (C_6H_NH_3)_2(CH_3NH_3)Pb_2I_7における励起子の磁気光学効果
- 30a-N-13 CdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の強磁場吸収スペクトル
- 25a-ZE-8 PbI_2微結晶の励起子の超強磁場効果
- 29p-G-4 無機・有機層状物質(C_6H_NH_3)_2PbI_4の励起子
- 29p-G-1 C10-PbI_4単結晶の最低励起子の強磁場効果
- CdTe/Cd_Mn_xTe超格子における磁場誘起TypeI-Type-II転移II
- 2p-X-3 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子の界面における磁化の磁気光学的研究
- 30a-Z-4 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子における界面拡散の磁気光学特性への影響III
- 30a-Z-3 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子における磁場誘起type I-type II転移
- 31p-YL-1 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子における界面拡散の磁気光学特性への影響II
- 5p-F-12 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子における界面拡散の磁気光学特性への影響
- 28a-K-7 超強磁場におけるCdTe/Cd_Mn_xTe超格子の光吸収スペクトル
- 28a-K-6 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子の強磁場下光吸収II
- 14a-DE-8 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子の強磁場下光吸収
- 1p-N-14 CdTe/Cd_Mn_xTe超格子の磁気光学スペクトル
- 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 3p-X-5 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子ポーラロンと強磁場
- 27aZC-11 (411)Aおよび(100)基板上 GaAs/AlGaAs量子井戸からの磁気発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aWF-10 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II
- 22pPSA-67 極低温・強磁場での二次元荷電励起子(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYH-10 パルス強磁場下電子正孔分離型量子構造CdS/ZnSeからの間接発光(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 24pZC-5 低温・パルス強磁場における荷電励起子発光(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aXD-8 CdS/ZnSe タイプ II 多重量子井戸の強磁場磁気発光スペクトル(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 14aYC-2 CdMnTe/CdMgTe における荷電励起子の極低温・強磁場発光(磁性半導体, 領域 4)
- 12pPSA-3 パルス強磁場とプラスチック DAC による高圧・磁気光スペクトル測定(領域 4)
- 27pYA-13 希薄磁性半導体2次元荷電励起子の極低温・強磁場発光(磁性半導体)(領域4)
- 20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
- 21aTH-5 強磁場における希薄磁性半導体二次元荷電励起子の振る舞い
- 19aYJ-9 強磁場・高圧下におけるGaAs/AlAs系ヘテロ構造からの励起子発光スペクトル
- GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
- 29a-Z-6 強磁場下におけるGaP/AIP短周期超格子の励起子発光と圧力効果
- 31a-YL-11 強磁場下におけるGap/AlP短周期超格子の励起子発光 II
- 5a-F-18 強磁場下におけるGaP/AlP短周期超格子の励起子発光
- 2p-X-13 GaAs/AlAs短周期超格子における磁気光学スペクトルと磁場誘起Γ-XクロスオーバーII
- 29a-Z-7 GaAs/AlAs短周期超格子における磁気光学スペクトルと磁場誘起Γ-Xクロスオーバー
- 31a-YL-10 強磁場、高圧下におけるGaAs/AlAs短周期超格子の励起子発光スペクトルとΓ-XクロスオーバーIII
- 5a-F-19 強磁場、高圧下におけるGaAs/AlAs短周期超格子の励起子発光スペクトルとΓ-XクロスオーバーII
- 28p-K-8 強磁場、高圧下におけるGaAs/AlAs短周期超格子の励起子発光スペクトルとr-Xクロスオーバー
- グラファイトの磁気輸送とディラック電子 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光--磁場と圧力の効果
- 2a-YH-9 GaP/AlP超格子構造における励起子発光の磁場と圧力の効果
- 30p-R-5 GaP/AlP短周期超格子および量子井戸の磁気発光スペクトル
- 29p-F-3 超強磁場におけるC_薄膜の磁気光学スペクトル
- 14pYC-8 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトル (411) A および (100) 基板上(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aXB-11 希薄磁性半導体量子井戸(Cd,Zn)Te/(Cd,Zn,Mn)Teにおける励起子分子発光とその強磁場効果(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
- 15p-DC-5 (CH_3NH_3)PbI_3励起子の超強磁場下での反磁性シフト
- 25pK-5 CdSe/ZnSe量子ドットの磁気発光スペクトル
- 29pTC-10 強磁場・高圧下におけるCd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe量子井戸の発光スペクトル
- 28a-YN-4 超強磁場におけるZn_Mn_Seのファラデー回転
- 27p-YN-7 CdTe自己組織化量子ドットの強磁場下PLにおける反磁性シフト
- 31p-YH-8 超強磁場における希薄磁性半導体のファラデー回転スペクトル
- 半導体量子ドットの磁気光学効果 : InP量子ドットの場合
- 6a-A-7 High magnetic field studies of photoluminescence from self-organised quantum dots on high index planes
- 3a-X-3 GaAs/Al_xGa_As量子井戸・超格子系励起子の磁場効果II
- 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29a-Z-8 GaAs/Al_xGa_As量子井戸・超格子系励起子の磁場効果
- 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 2p-F-9 MoS_2励起子吸収の磁場効果
- 25aBK-7 分子性ゼロギャップ伝導体におけるヘリカル表面状態の実験的検証(25aBK ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aSB-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール伝導と界面状態(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pEB-4 多層ディラック電子系での量子ホール強磁性の検証実験(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXT-10 グラフェン接合系における量子ホール伝導と界面状態(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXJ-6 多層グラファイトの層間磁気抵抗測定とディラック粒子性(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXN-6 多層ディラック電子系での量子ホール強磁性の検証実験II(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 6aXE-4 超強磁場における酸化物高温超伝導体の高周波磁気抵抗測定II(高温超伝導(輸送現象,磁気特性・磁気励起),領域8)
- 7aSB-2 CdTe/CdMnTe量子井戸構造における励起子発光の異常レッドシフトII(磁性半導体,領域4)
- 26pDJ-6 強磁揚下での多層ディラック電子系の表面状態(ディラック電子系,領域7(分子性個体・有機導体))
- 25pXM-8 100T級超強磁場における擬二次元導体の輸送測定II.(25pXM ET-TCNQ系・新物質(中性イオン性転移・実験技術を含む),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 24aWE-5 磁場中の間接型半導体ヘテロ構造におけるキャリア局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aWE-6 強磁場・高圧下におけるGaAs/AlAs系ヘテロ構造からの励起子発光スペクトル II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aYE-2 ハロゲン化鉛量子井戸結晶における励起子の磁気光学効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
- 6pSA-7 GaAs/AlAs隣接閉じ込め構造からの励起子磁気発光(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)